不论是单晶硅太阳能电池板还是多晶硅太阳能电池板，其成型后都要按照一定的尺寸进行切割，切割后的太阳能电池板硅片表面会留下一些污染的杂质，大致有油脂松香蜡等有机物质,金属、各种无机化合物，以及灰尘和其他可溶性物质。通常使用化学清洗剂来去除这些污染物，常用的有有机溶剂(如甲苯、二甲苯、丙酮、三氯乙烯、四氯化碳等)、浓酸、强碱以及高纯中性洗涤剂等。每次清洗后都要用高纯去离子水将硅片冲洗干净。

　　硅片经过初步清洗去污后，要进行表面腐蚀。这是由于机械切割后，在硅片表面留有切痕和损伤层，需要通过表面腐蚀来消除。通常使用的腐蚀方法有以下两类。

　1. 酸性腐蚀

  常用的酸性离蚀液心放和氢氟酸的混合液，硝酸的作用是使硅氧化为二氧化硅，而氢氟酸可使在在硅表面形成的二氧化硅不断溶解，保持反应持续进行。通过调整硝酸、氢氟酸的比例和溶液的温度，可以控制腐体的速度。一般酸性腐蚀液的配比为硝酸:氡氟酸: 醋酸=5:3:3或5:1:1。若在混合腐蚀液中加入醋酸作为缓冲剂,可使得硅片表面光亮。

　　2.碱性腐蚀

　　硅可与氯氧化纳、氯氧化钾等做性溶液起作用，生成硅酸盐并放出氢气，其化学反应式为Si + 2NaOH+ H2O- +NagSiO3 +2H2↑

　　碱性腐蚀的硅片表面没有酸性腐蚀光亮平整,但制成的电池性能相同。碱性腐蚀的成本比较低，对于环境的污染较小，所以目前名采用城性腐蚀方法。

　　通过表面腐蚀后，可使硅片减去薄薄的一层，一般去除的厚度在10一20um(根据切割损伤层厚度决定)。影响腐蚀效果的主要因索是腐蚀液的浓度和温度。

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