光伏板中的单晶硅与多晶硅有区别，具体如下：

结晶结构不同。单晶硅片由单一晶体生长而成，具有完整的晶格结构和无缺陷的结晶性质。多晶硅片由许多晶粒组成，晶粒之间存在晶界和缺陷。

成本不同。单晶硅片的制备成本较高，需要精确控制生长条件以获得单一晶体。多晶硅片的制备成本相对较低，因为多晶硅的生长速度快，适合大规模生产。

电子性能不同。单晶硅片具有更高的结晶质量和无晶界缺陷，它的载流子迁移率较高、电阻较低，适用于制造高性能的半导体器件。多晶硅片则因为晶粒之间存在晶界和缺陷，所以电子性能较弱。

应用领域不同。单晶硅片在光学和光电子器件中具有广泛应用。多晶硅片主要应用于太阳能电池、集成电路封装、光电子器件等领域。